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PTA20N50

商品型号： PTA20N50

制造厂商： PIP(丽隽)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.95g

商品编号： CY766935

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,0.26?@10V,20A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,0.26?@10V,20A

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PTA20N50由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA20N50价格参考￥7.257600。PIP(丽隽)PTA20N50封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,0.26?@10V,20A

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