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PTP02N04NB

商品型号： PTP02N04NB

制造厂商： PIP(丽隽)

封装规格： TO-220

商品毛重： 2.85g

商品编号： CY826319

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,1.65m?@10V,245A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,1.65m?@10V,245A

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PTP02N04NB由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTP02N04NB价格参考￥8.493200。PIP(丽隽)PTP02N04NB封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,1.65m?@10V,245A

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