N沟道,700V,10A, 0.36Ω@10V

商品型号： SW10N70K

制造厂商： Samwin (芯派)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.36g

商品编号： CY167655

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25.5W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
栅源极阈值电压	5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25.5W(Tc) 类型：N沟道

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SW10N70K由Samwin (芯派)设计生产,在芯云购商城现货销售,SW10N70K价格参考￥8.205600。Samwin (芯派)SW10N70K封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：420mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25.5W(Tc) 类型：N沟道

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