商品型号： VBM1158N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.72g
商品编号： CY498375
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.345
10+
￥6.2891
30+
￥6.2332
100+
￥6.1749
500+
￥6.1166
1000+
￥6.0583
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A | |
| 类型 | N沟道 |
VBM1158N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM1158N价格参考￥6.345000。VBsemi(台湾微碧)VBM1158N封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W 类型：N沟道
手机版：VBM1158N
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