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HF20N60

商品型号： HF20N60

制造厂商： HL(豪林)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.68g

商品编号： CY608613

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V

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HF20N60由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HF20N60价格参考￥8.476200。HL(豪林)HF20N60封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V

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