商品型号： IPP90R1K2C3
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.87g
商品编号： CY417753
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 310uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.0136
10+
￥8.0122
30+
￥8.0108
100+
￥8.0094
500+
￥8.008
1000+
￥8.004
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | |
| 类型 | N沟道 |
IPP90R1K2C3由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP90R1K2C3价格参考￥8.013600。Infineon(英飞凌)IPP90R1K2C3封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 310uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPP90R1K2C3
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