商品型号： CSD19536KCS
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.75g
商品编号： CY499404
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道 CSD19536KCS 100V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD19536KCS
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价格
1+
￥4.1793
10+
￥4.1515
30+
￥4.1212
100+
￥4.0909
500+
￥4.0606
1000+
￥4.0303
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 150A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD19536KCS由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD19536KCS价格参考￥4.179300。TI(德州仪器)CSD19536KCS封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道 CSD19536KCS 100V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD19536KCS
手机版：CSD19536KCS
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