商品型号： IRFU4615PBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.82g
商品编号： CY218302
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：144W 类型：N沟道 N沟道,150V,33A,42mΩ@10V
数量
价格
1+
￥2.4158
10+
￥2.3479
30+
￥2.28
100+
￥2.2121
500+
￥2.1414
1000+
￥2.0707
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 类型 | N沟道 |
IRFU4615PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFU4615PBF价格参考￥2.415800。Infineon(英飞凌)IRFU4615PBF封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：144W 类型：N沟道 N沟道,150V,33A,42mΩ@10V
手机版：IRFU4615PBF
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