商品型号： KNH3306A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-3P
商品毛重： 6.43g
商品编号： CY719971
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：215W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.5766
10+
￥3.4819
30+
￥3.3872
100+
￥3.2925
500+
￥3.195
1000+
￥3.0975
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
KNH3306A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNH3306A价格参考￥3.576600。KIA 半导体KNH3306A封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：215W(Tc) 类型：N沟道
手机版：KNH3306A
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