商品型号： HFS12N60S
制造厂商： SEMIHOW
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.85g
商品编号： CY573576
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥9.1797
10+
￥9.1502
30+
￥9.1207
100+
￥9.0912
500+
￥9.0617
1000+
￥9.0322
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
HFS12N60S由SEMIHOW设计生产,在芯云购商城现货销售,HFS12N60S价格参考￥9.179700。SEMIHOWHFS12N60S封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：HFS12N60S
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