商品型号： VBMB1203M
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO220F
商品毛重： 2.35g
商品编号： CY302809
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.3456
10+
￥6.288
30+
￥6.2304
100+
￥6.1728
500+
￥6.1152
1000+
￥6.0576
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A | |
| 漏源导通电阻 | - | |
| 类型 | N沟道 |
VBMB1203M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBMB1203M价格参考￥6.345600。VBsemi(台湾微碧)VBMB1203M封装/规格：TO220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：N沟道
手机版：VBMB1203M
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