商品型号： HB3510P
制造厂商： HL(豪林)
封装规格： TO-263
商品毛重： 2.24g
商品编号： CY762489
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：38mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V 50A
数量
价格
1+
￥2.0748
10+
￥2.064
30+
￥2.0532
100+
￥2.0399
500+
￥2.0266
1000+
￥2.0133
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
HB3510P由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HB3510P价格参考￥2.074800。HL(豪林)HB3510P封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：38mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V 50A
手机版：HB3510P
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