商品型号： LNC08R160
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.81g
商品编号： CY498157
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.3006
10+
￥3.2525
30+
￥3.202
100+
￥3.1515
500+
￥3.101
1000+
￥3.0505
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
LNC08R160由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNC08R160价格参考￥3.300600。LONTEN(龙腾半导体)LNC08R160封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LNC08R160
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