商品型号: UTT25P10L-TA3-T
制造厂商: 3PEAK
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.72g
商品编号: CY460244
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道 P沟道,-100V,-25A,150mΩ@-10V
数量
价格
1+
¥4.2092
10+
¥4.1569
30+
¥4.1046
100+
¥4.0523
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 25A | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 100W | |
类型 | P沟道 |
UTT25P10L-TA3-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UTT25P10L-TA3-T价格参考¥4.209200。3PEAKUTT25P10L-TA3-T封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道 P沟道,-100V,-25A,150mΩ@-10V
手机版:UTT25P10L-TA3-T
20万现货SKU
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