商品型号： IRFZ34NSPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 2.28g
商品编号： CY407992
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
数量
价格
1+
￥5.5151
10+
￥5.4311
30+
￥5.3471
100+
￥5.2631
500+
￥5.1754
1000+
￥5.0877
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
IRFZ34NSPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFZ34NSPBF价格参考￥5.515100。Infineon(英飞凌)IRFZ34NSPBF封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
手机版：IRFZ34NSPBF
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