商品型号： PTA12N60
制造厂商： PIP(丽隽)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.95g
商品编号： CY539065
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,0.55?@10V,12A
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价格
1+
￥1.5377
10+
￥1.45
30+
￥1.3605
100+
￥1.271
500+
￥1.1815
1000+
￥1.092
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￥38.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
PTA12N60由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA12N60价格参考￥1.537700。PIP(丽隽)PTA12N60封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,0.55?@10V,12A
手机版：PTA12N60
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