商品型号： HF12N60
制造厂商： HL(豪林)
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.66g
商品编号： CY111586
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,12A,650mΩ@10V
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价格
1+
￥8.1935
10+
￥8.1626
30+
￥8.1317
100+
￥8.1008
500+
￥8.0672
1000+
￥8.0336
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
HF12N60由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HF12N60价格参考￥8.193500。HL(豪林)HF12N60封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,12A,650mΩ@10V
手机版：HF12N60
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