商品型号： LSB55R050GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-247
商品毛重： 7.83g
商品编号： CY720975
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.1654
10+
￥3.1541
30+
￥3.1246
100+
￥3.0951
500+
￥3.0634
1000+
￥3.0317
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 550V | |
| 类型 | N沟道 |
LSB55R050GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSB55R050GT价格参考￥3.165400。LONTEN(龙腾半导体)LSB55R050GT封装/规格：TO-247,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSB55R050GT
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