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IPP50R520CP

商品型号： IPP50R520CP

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO220-3

商品毛重： 2.82g

商品编号： CY140762

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：66W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 550V 7.1A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：66W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 550V 7.1A

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IPP50R520CP由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP50R520CP价格参考￥4.236400。Infineon(英飞凌)IPP50R520CP封装/规格：PG-TO220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：66W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 550V 7.1A

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