商品型号： HSP150N02
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.20g
商品编号： CY588748
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.3978
10+
￥9.3322
30+
￥9.2666
100+
￥9.201
500+
￥9.1354
1000+
￥9.0677
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W | |
| 类型 | N沟道 |
HSP150N02由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSP150N02价格参考￥9.397800。HUASHUO(华朔)HSP150N02封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
手机版：HSP150N02
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