商品型号： HSP150N15
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.27g
商品编号： CY937943
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.5739
10+
￥3.4798
30+
￥3.3857
100+
￥3.2916
500+
￥3.1944
1000+
￥3.0972
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 150A | |
| 类型 | N沟道 |
HSP150N15由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSP150N15价格参考￥3.573900。HUASHUO(华朔)HSP150N15封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道
手机版：HSP150N15
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