商品型号： VBM2610N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.63g
商品编号： CY991059
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥4.0546
10+
￥4.0464
30+
￥4.0382
100+
￥4.03
500+
￥4.0218
1000+
￥4.0109
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A | |
| 类型 | P沟道 |
VBM2610N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM2610N价格参考￥4.054600。VBsemi(台湾微碧)VBM2610N封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：P沟道
手机版：VBM2610N
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