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TSK80R240S1

商品型号: TSK80R240S1

制造厂商: Truesemi(信安)

封装规格: TO-247

商品毛重: 7.75g

商品编号: CY609378

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):151W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 800V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):151W(Tc) 类型:N沟道

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TSK80R240S1由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSK80R240S1价格参考¥1.235200。Truesemi(信安)TSK80R240S1封装/规格:TO-247,连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):151W(Tc) 类型:N沟道

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