商品型号： IXTP3N100P
制造厂商： IXYS
封装规格： TO220
商品毛重： 2.88g
商品编号： CY003090
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.1026
10+
￥1.0864
30+
￥1.0702
100+
￥1.054
500+
￥1.0378
1000+
￥1.0189
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | |
| 类型 | N沟道 |
IXTP3N100P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTP3N100P价格参考￥1.102600。IXYSIXTP3N100P封装/规格：TO220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXTP3N100P
20万现货SKU
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