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FIR10N65FG

商品型号： FIR10N65FG

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.38g

商品编号： CY328765

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 650V,10A,0.8Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 650V,10A,0.8Ω@10V

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FIR10N65FG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR10N65FG价格参考￥1.344200。3PEAKFIR10N65FG封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 650V,10A,0.8Ω@10V

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