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G120N04A

商品型号： G120N04A

制造厂商： GOFORD(谷峰)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.76g

商品编号： CY266732

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,120A,3.2mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,120A,3.2mΩ@10V

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G120N04A由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G120N04A价格参考￥7.432900。GOFORD(谷峰)G120N04A封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,120A,3.2mΩ@10V

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