商品型号： VBM2625
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY932718
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：53A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104.2W 类型：P沟道 P沟道,-60V,-60A,20mΩ@10V
数量
价格
1+
￥6.1966
10+
￥6.0995
30+
￥6.0024
100+
￥6.0018
500+
￥6.0012
1000+
￥6.0006
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | P沟道 |
VBM2625由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM2625价格参考￥6.196600。VBsemi(台湾微碧)VBM2625封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：53A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104.2W 类型：P沟道 P沟道,-60V,-60A,20mΩ@10V
手机版：VBM2625
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