商品型号： KNP2910A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 3.67g
商品编号： CY592501
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道 N沟道 130A 100V
数量
价格
1+
￥3.1882
10+
￥3.1589
30+
￥3.1296
100+
￥3.0972
500+
￥3.0648
1000+
￥3.0324
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W | |
| 类型 | N沟道 |
KNP2910A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNP2910A价格参考￥3.188200。KIA 半导体KNP2910A封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道 N沟道 130A 100V
手机版：KNP2910A
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