商品型号: TK39N60W5,S1VF(S
制造厂商: TOSHIBA(东芝)
封装规格: TO-247
商品毛重: 7.73g
商品编号: CY374834
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):38.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.9mA 漏源导通电阻:74mΩ @ 19.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):270W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥3.252
10+
¥3.2118
30+
¥3.1716
100+
¥3.1287
500+
¥3.0858
1000+
¥3.0429
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 |
TK39N60W5,S1VF(S由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TK39N60W5,S1VF(S价格参考¥3.252000。TOSHIBA(东芝)TK39N60W5,S1VF(S封装/规格:TO-247,连续漏极电流(Id)(25°C 时):38.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.9mA 漏源导通电阻:74mΩ @ 19.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):270W(Tc) 类型:N沟道
手机版:TK39N60W5,S1VF(S
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