商品型号： VBM1101N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY716882
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 N沟道,100V,100A,9mΩ@10V
数量
价格
1+
￥5.3124
10+
￥5.262
30+
￥5.2116
100+
￥5.1587
500+
￥5.1058
1000+
￥5.0529
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
VBM1101N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM1101N价格参考￥5.312400。VBsemi(台湾微碧)VBM1101N封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 N沟道,100V,100A,9mΩ@10V
手机版：VBM1101N
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