商品型号： LSB65R099GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-247
商品毛重： 7.93g
商品编号： CY536927
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.5193
10+
￥9.4339
30+
￥9.3485
100+
￥9.2631
500+
￥9.1754
1000+
￥9.0877
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
LSB65R099GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSB65R099GT价格参考￥9.519300。LONTEN(龙腾半导体)LSB65R099GT封装/规格：TO-247,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSB65R099GT
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