商品型号： IRFI640GPBF
制造厂商： VISHAY(威世)
封装规格： TO-220-3
商品毛重： 2.88g
商品编号： CY470118
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.8A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.0188
10+
￥1.0178
30+
￥1.0168
100+
￥1.0126
500+
￥1.0084
1000+
￥1.0042
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
IRFI640GPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFI640GPBF价格参考￥1.018800。VISHAY(威世)IRFI640GPBF封装/规格：TO-220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.8A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IRFI640GPBF
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