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FIR10N60FG

商品型号： FIR10N60FG

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.76g

商品编号： CY563639

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,10A,0.75Ω(max)@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,10A,0.75Ω(max)@10V

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FIR10N60FG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR10N60FG价格参考￥8.072200。3PEAKFIR10N60FG封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,10A,0.75Ω(max)@10V

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