商品型号： KNP3508A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.72g
商品编号： CY194055
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.1187
10+
￥5.1
30+
￥5.08
100+
￥5.06
500+
￥5.04
1000+
￥5.02
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
KNP3508A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNP3508A价格参考￥5.118700。KIA 半导体KNP3508A封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：KNP3508A
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