商品型号： HU60N03
制造厂商： HL(豪林)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.67g
商品编号： CY784136
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,30V,60A,14mΩ@10V
数量
价格
1+
￥8.3128
10+
￥8.2612
30+
￥8.2096
100+
￥8.158
500+
￥8.1064
1000+
￥8.0548
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道 |
HU60N03由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HU60N03价格参考￥8.312800。HL(豪林)HU60N03封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,30V,60A,14mΩ@10V
手机版：HU60N03
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