商品型号： G15N10C
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.39g
商品编号： CY401101
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,15A,70mΩ@10V
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价格
1+
￥5.4494
10+
￥5.3758
30+
￥5.3022
100+
￥5.2286
500+
￥5.1524
1000+
￥5.0762
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥120.00
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￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
G15N10C由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G15N10C价格参考￥5.449400。GOFORD(谷峰)G15N10C封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,15A,70mΩ@10V
手机版：G15N10C
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