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IPA90R800C3

商品型号： IPA90R800C3

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.20g

商品编号： CY769324

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 460uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,900V,6.9A,800mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	900V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 460uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,900V,6.9A,800mΩ@10V

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IPA90R800C3由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPA90R800C3价格参考￥4.570300。Infineon(英飞凌)IPA90R800C3封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 460uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,900V,6.9A,800mΩ@10V

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