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KIA12N60HP

商品型号： KIA12N60HP

制造厂商： KIA 半导体

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.74g

商品编号： CY527149

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：231W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，12A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：231W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，12A

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KIA12N60HP由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA12N60HP价格参考￥9.039600。KIA 半导体KIA12N60HP封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：231W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，12A

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