商品型号： HSP80P10
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.84g
商品编号： CY723218
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.0V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥4.4398
10+
￥4.3681
30+
￥4.2964
100+
￥4.2247
500+
￥4.1498
1000+
￥4.0749
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 类型 | P沟道 |
HSP80P10由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSP80P10价格参考￥4.439800。HUASHUO(华朔)HSP80P10封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.0V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W 类型：P沟道
手机版：HSP80P10
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