商品型号： LND7N65D
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.40g
商品编号： CY308312
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.5049
10+
￥7.422
30+
￥7.3391
100+
￥7.2562
500+
￥7.1708
1000+
￥7.0854
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 类型 | N沟道 |
LND7N65D由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND7N65D价格参考￥7.504900。LONTEN(龙腾半导体)LND7N65D封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道
手机版：LND7N65D
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