商品型号： VBL2309
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO263
商品毛重： 3.69g
商品编号： CY897366
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥4.4504
10+
￥4.377
30+
￥4.3036
100+
￥4.2277
500+
￥4.1518
1000+
￥4.0759
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | P沟道 |
VBL2309由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBL2309价格参考￥4.450400。VBsemi(台湾微碧)VBL2309封装/规格：TO263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：P沟道
手机版：VBL2309
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