商品型号: FCPF250N65S3L1
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-220-3
商品毛重: 0.03g
商品编号: CY056736
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.2mA 漏源导通电阻:250mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,12A
数量
价格
1+
¥5.1844
10+
¥5.0922
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
FCPF250N65S3L1由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCPF250N65S3L1价格参考¥5.184400。ON(安森美)FCPF250N65S3L1封装/规格:TO-220-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.2mA 漏源导通电阻:250mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,12A
手机版:FCPF250N65S3L1
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