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R6015ENX

商品型号: R6015ENX

制造厂商: ROHM(罗姆)

封装规格: TO-220FM-3

商品毛重: 1.78g

商品编号: CY513501

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:290mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 600V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:290mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道

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R6015ENX由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,R6015ENX价格参考¥9.108000。ROHM(罗姆)R6015ENX封装/规格:TO-220FM-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:290mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道

手机版:R6015ENX