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CEP05N65

商品型号： CEP05N65

制造厂商： CET(华瑞)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 1.31g

商品编号： CY215697

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：84W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,4.5A,2.4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：84W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,4.5A,2.4Ω@10V

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CEP05N65由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEP05N65价格参考￥6.504900。CET(华瑞)CEP05N65封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：84W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,4.5A,2.4Ω@10V

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