商品型号： HY3606B
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 1.50g
商品编号： CY676480
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：162A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 81A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W 类型：N沟道 MOS N沟道 60V/162A 3.5毫欧@10V
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￥8.3532
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￥8.2649
500+
￥8.1766
1000+
￥8.0883
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￥38.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
HY3606B由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY3606B价格参考￥8.527200。HUAYI(华羿微)HY3606B封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：162A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 81A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W 类型：N沟道 MOS N沟道 60V/162A 3.5毫欧@10V
手机版：HY3606B
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