商品型号： PTA04N100
制造厂商： PIP(丽隽)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.95g
商品编号： CY695227
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,1000V,2.0?@10V,4.0A
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￥8.3924
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￥8.2967
500+
￥8.1978
1000+
￥8.0989
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
PTA04N100由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA04N100价格参考￥8.583800。PIP(丽隽)PTA04N100封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,1000V,2.0?@10V,4.0A
手机版：PTA04N100
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