商品型号： FDPF55N06
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.89g
商品编号： CY802085
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 27.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.1039
10+
￥7.005
30+
￥7.004
100+
￥7.003
500+
￥7.002
1000+
￥7.001
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
FDPF55N06由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDPF55N06价格参考￥7.103900。ON(安森美)FDPF55N06封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 27.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FDPF55N06
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