商品型号： FDP8874
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.68g
商品编号： CY159471
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.3mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥5.1172
10+
￥5.0996
30+
￥5.082
100+
￥5.0615
500+
￥5.041
1000+
￥5.0205
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A | |
| 类型 | N沟道 |
FDP8874由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP8874价格参考￥5.117200。ON(安森美)FDP8874封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.3mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：FDP8874
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