商品型号： IRFP450APBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-247(AC)
商品毛重： 10.00g
商品编号： CY907415
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：190W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,14A,400mΩ@8.4A,10V
数量
价格
1+
￥2.1404
10+
￥2.117
30+
￥2.0936
100+
￥2.0702
500+
￥2.0468
1000+
￥2.0234
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
IRFP450APBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFP450APBF价格参考￥2.140400。Infineon(英飞凌)IRFP450APBF封装/规格：TO-247(AC),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：190W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,14A,400mΩ@8.4A,10V
手机版：IRFP450APBF
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