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LNB20N65
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LNB20N65

商品型号: LNB20N65

制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)

封装规格: TO-247

商品毛重: 7.92g

商品编号: CY102422

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道

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LNB20N65由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNB20N65价格参考¥1.247100。LONTEN(龙腾半导体)LNB20N65封装/规格:TO-247,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 类型:N沟道

手机版:LNB20N65